半导体行业蓬勃发展，芯德科技似璀璨之星闪耀，公司于2020年9月在南京城起步，专注中高端封装测试，秉持强大技术实力与创新精神，一路奋进。至2024年9月，成功实现 5nm 芯片 FOCT-R （FANOUT Connected Tech - RDL）封装结构出货，此为业内罕见壮举。这彰显深厚技术底蕴，助其立足行业前沿，具备国际竞争之力，引领行业前行。

2.5D晶圆级再布线转接板封装

实现重大突破

　　图1  产品图片

该芯片属于光通信领域，是通过光信号进行数据传输的高集成芯片。它采用中介层替代基板，并在晶圆上实施 SMT 贴装，实现了先进封装技术的重大突破，其核心创新点主要呈现在以下几个方面：

1.超高层数再布线转接板制备

成功达成 7P7M（七层Polyimide层,七层metal层）的 interposer（中介层）设计与制造工艺，且拥有 5μm/5μm的超窄线宽线间距 RDL（重布线层），此复杂层结构显著提升了电气性能与热管理性能，更助力封装在微小尺寸下集成更多功能。

　　图2  有机再布线转接板切片图

2.超窄间距的微凸块加工

实现了微凸块加工的重大突破，成功创制出凸点尺寸仅 18 μm且凸点间距为 36 μm的顶级芯片封装。这一技术突破意味着芯德科技现在能够生产出具有极高集成度和精细结构的芯片封装产品，这对于满足当前及未来市场对高性能、小型化电子产品的需求至关重要。

图3  JSSI Micro Bump 

切片图

图4  JSSI 36um Bump Pitch

3.超高数量晶圆贴装突破

成功实现晶圆级表面贴装（SMT）技术的重大跨越。其达成了在单片晶圆上贴装超 40000 个元器件的惊人成果。这一成果极大地丰富了芯片功能集成的维度，让芯片如同一个多功能的微型智能中枢。而且，在电性能方面，芯片更是实现了飞跃式提升，从电流传输的稳定性到信号处理的高效性，都达到了新的高度，为半导体行业发展注入强大动力。

　　图5  晶圆级SMT作业图

4.超高精度热压焊（TCB）

完成 TSMC 5nm 制程工艺芯片的倒装，展现出超高精度，可精确至±3μm。此精度能够完美契合芯片堆叠的高端封装需求，在封装进程中，确保各层精准对齐与可靠连接，宛如精密齿轮般严丝合缝，为整个封装结构赋予卓越性能与超凡可靠性，有力推动芯片封装领域迈向新高度。

图6  TCB 5nm芯片图

随着此款产品开发完成，标志着芯德科技在芯片封装领域实现重大飞跃，在有限空间内巧妙融合88颗电容与逻辑芯片，有力提升光通信系统性能，大幅削减延迟并降低功耗。凭借 5μm×5μm 的细微线路，高速信号得以畅行无阻，延迟显著降低的同时，数据吞吐量显著增加。Expose die 结构强化散热效果、稳定性得以提升。以7P7M中介层取代基板，有效控制成本，提升效益。此款产品芯德科技历经一年精心研发，这一成果标志着其在 2.5D、3D 晶圆级先进封装领域再次取得重大突破，迈出坚实有力的一大步，充分彰显出在高端封装技术领域的卓越研发实力以及源源不断的创新活力。

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