SiC功率模块绝缘失效根因分析
背景介绍
某SiC 器件在HV-H3TRB 测试时出现绝缘失效。
失效分析手段
以下为Zestron R&S分析结果节选
1 光学显微镜下的失效图片
图1:开封后的SiC 器件
图2:失效区域局部放大图
2 C3局部离子污染测试结果
图3:NG批次的离子污染检测结果
图4:OK批次的离子污染检测结果
3 IC离子色谱测试结果
NG批次和OK批次样品测试结果对比表
分析结论
通过ZESTRON R&S开展的综合分析和累积多年的成功经验,确认NG批次样品在封装前存在较高水平的污染,降低了环氧树脂模封与基板/芯片之间的结合;在HV-H3TRB测试条件下, 当潮湿充分渗透模封料之后,离子型污染物在模封结合薄弱区域形成漏电通路,在高压条件下发生击穿导致绝缘失效。
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