CP与FT测试的区别详解
文章来源:耐芯
集成电路测试是确保芯片质量的关键步骤,其中最主要的两类测试是CP测试(Chip Probing)和FT测试(Final Test)。这两种测试方法贯穿了芯片生产的前后阶段,分别对芯片的晶圆和封装后的成品进行测试。
CP测试和FT测试的区别:将芯片的生产过程比作农产品的生产和包装。CP测试就像是在收割农作物时对每一颗果实进行初步检查,去除那些明显的坏果;而FT测试则是在果实经过包装后进行最终的质量检查,确保它们可以安全送达市场。
一、CP测试(Chip Probing)——初步筛选
CP测试是指在晶圆还未切割和封装之前,直接在晶圆上对每一个芯片单元(Die)进行的电性和功能性测试。这是一种“探测”性的测试,目的是尽早识别和剔除不合格的芯片,避免不必要的后续成本。
1. CP测试的目的
在晶圆制造的早期阶段,生产的芯片尚未封装,而封装是一个耗时且昂贵的过程。如果不通过初步筛选直接封装所有芯片,将会导致大量不合格的芯片进入封装阶段,增加了封装和后续测试的成本。因此,CP测试的主要目的是:
识别和剔除坏Die:通过电性能和基本功能测试,提前淘汰不合格的芯片单元。
降低后道工序成本:避免封装成本的浪费,因为封装后的不合格芯片无法再挽回。
监控前道工艺良率:通过测试结果,可以评估晶圆制造工艺的稳定性和质量,从而为后续改进提供数据支持。
2. CP测试的流程
CP测试通过探针卡(Probe Card),将电信号传导到每个芯片单元,并通过测试设备对其电性能进行测量。测试项通常包括阈值电压(Vt)、导通电阻(Rdson)、漏电流(Idss)等基础电性能参数。
3. CP测试的特点
测试对象:晶圆上的每一个Die(芯片单元)。
测试阶段:晶圆尚未切割封装的阶段,属于前道工序的测试。
测试项目:主要关注基础的电性能测试,测试功率较低,探针卡限制了大电流测试。
测试难点:探针卡的精确性、探针干扰和并行测试的挑战。尤其在大规模集成电路中,如何确保探针卡的接触精度和稳定性是一大难题。
二、FT测试(Final Test)——成品检测
FT测试是封装后的芯片成品测试,旨在对经过封装后的芯片进行全面、严格的功能和性能检测,以确保芯片能满足设计要求并在实际应用中可靠运行。
1. FT测试的目的
封装后的芯片是最终产品,需要在出厂前确保其所有功能的正常运行。FT测试不仅要验证芯片的功能,还要对其在极端环境下的性能进行考验。因此,FT测试的目标是:
确保封装质量:检测封装过程是否对芯片产生了影响,例如引脚连接是否完好、电气性能是否有所改变等。
全面功能验证:确保芯片的各项功能符合设计规范,满足客户需求。
可靠性测试:在不同温度、压力条件下检测芯片的可靠性,确保其在实际应用环境中的表现。
2. FT测试的流程
FT测试一般采用自动测试设备(ATE)进行。芯片通过机台(handler)和测试插座(socket)被放置到测试平台,进行包括电气功能、性能指标和极限条件下的测试。通常,FT测试还会进行温度压力测试,模拟芯片在高温(例如75℃或90℃)或低温(例如-20℃或-40℃)环境下的工作状态。
3. FT测试的特点
测试对象:已经封装好的成品芯片。
测试阶段:芯片封装完成后的后道工序测试。
测试项目:功能性测试项目更多,测试条件严格。常见的测试包括功能测试、电性能测试、功率测试、热稳定性测试等。
测试难点:确保芯片在实际使用环境中的表现,尤其是高温、低温等极限条件下的功能稳定性。此外,FT测试还会检查芯片的功率消耗和输出性能,这些都是在CP阶段无法全面测试的。
三、CP与FT测试的区别与联系
1. 测试对象的不同
CP测试主要针对晶圆上的芯片单元,即未封装的裸芯片。
FT测试则针对已经完成封装的芯片成品。
2. 测试阶段的不同
CP测试是在晶圆制造的前道工序中进行的,通常在晶圆切割之前完成。
FT测试是在芯片封装完成后的最后一个环节,确保芯片能够正常出厂。
3. 测试目的的不同
CP测试的目的是剔除明显不合格的芯片,降低后续封装成本,同时监控晶圆制造的工艺良率。
FT测试的目的是确保芯片在实际应用中的功能完整性和可靠性,是芯片出厂前的最后一道关卡。
4. 测试项目的不同
CP测试主要进行基础的电性能测试,如阈值电压、导通电阻、漏电流等。这些测试项目较为基础,且测试功率较小。
FT测试的项目更为全面,包括功能测试、性能测试、可靠性测试等。FT测试的功率较高,能够进行大电流测试,同时测试环境要求更为严格。
5. 测试条件的不同
CP测试通常只在常温下进行测试,条件相对简单。
FT测试则需要在不同温度环境下进行,特别是在高温或低温环境中,测试芯片的稳定性和可靠性。
四、CP测试与FT测试的联系
尽管CP和FT测试的阶段不同,但它们是一个完整测试流程的两个重要环节。两者共同的目标是确保芯片的最终质量和可靠性。对于某些测试项目,CP测试可以减少FT测试的工作量。例如,CP测试已经完成的基础电性能测试,FT中可以不再重复,从而节省测试时间和成本。
此外,在某些情况下,CP测试还可以进行修复,例如通过激光修复技术(Laser Repair)来修复部分可挽救的芯片,进一步提高良率和可靠性。而FT测试则不具备这种修复功能,它仅仅是一个检测环节,任何不合格的芯片都会被直接淘汰。
五、CP测试和FT测试的未来趋势
随着芯片制造技术的进步和封装技术的提升,越来越多的公司尝试减少CP测试,甚至有些公司直接跳过CP测试环节,只进行FT测试。这种做法虽然节省了CP测试的成本,但也增加了后续封装和测试阶段的风险,可能导致更多的成品芯片被淘汰。
在高密度存储器(Memory)的制造中,CP测试的作用尤其关键。通过CP测试中的冗余分析,能够计算出芯片需要修复的部分,并通过激光修复提升良率,这在FT阶段是无法实现的。
六、总结
CP测试和FT测试是集成电路测试流程中不可或缺的两个环节。CP测试在晶圆阶段剔除不合格的芯片,降低后续成本;FT测试则在封装后确保芯片的功能和性能符合设计要求。虽然两者在测试对象、阶段和项目上有所不同,但它们共同构成了芯片质量控制的核心流程。
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