国产5G手机的影响有多大？华为Mate X5成为一带一路峰会给参会人员三份国礼之一，上月会见美国加州州长一行时，华为手机mate60Pro被多个与会人员摆放在桌面上，这一切都凸显出国产5G手机的重要意义。

华为今年发布的5G手机采用了国内芯片制造工艺的麒麟9000S芯片，这是它在遭受重重压力之下，时隔3年再度推出5G芯片，这意味着国产芯片产业链的重大突破。

芯片制造是一条很长的产业链，不仅是大众所关注的光刻机，还有刻蚀机、光刻胶等芯片材料和设备，只有这些都实现了国产化，才能生产出国产5G芯片，麒麟9000S的出现证明了国产芯片产业链真正齐备。

眼见着中国芯片的重大进展，美商务部副部长艾伦·艾斯特韦斯表示只要中国无法拿到重要的芯片设备零件，随着光刻机这些设备的老化和损耗，中国的芯片产业发展就会面临障碍，意思就是光刻机这些重要设备如果没有得到维护终将成为废铁。

为此美国意图进一步阻止ASML等光刻机企业对中国出售光刻机，甚至连65纳米的1930di也不被允许，更不允许ASML对已出售给中国的光刻机进行维护，试图借此阻止中国芯片产业的发展。

日本唯美国马首是瞻，今年上半年就阻止了23种芯片设备和材料对中国的出售，ASML也迅速跟进只允许对中国出售38纳米的1980Di，然而仅仅半年时间，中国就生产出麒麟9000S这种先进芯片，让他们的图谋落空。

眼见着中国芯片取得重大突破，ASML最先反应过来，9月初ASML表示获得许可，可以对中国出售用于7纳米的2000i光刻机，近期ASML公布的三季度业绩显示从中国获得的收入占比达到46%，较去年低点的8%猛增4倍多。

国产5G芯片的推出意味着中国光刻机取得了重大突破，ASML赶紧出售2000i光刻机意味着它也确认了中国先进光刻机的进展，即使ASML后续无法提供相关的配件，中国也有可能以国产配件维护现有的光刻机。

除了继续跟进现有的硅基芯片技术之外，中国还在研发更先进的量子芯片、光子芯片技术，这些芯片技术将帮助中国实现弯道超车，到那时候中国芯片更可能取得芯片技术领先优势。

近期清华大学公布了ACCEL芯片，光学芯片部分只要采用百纳米级别工艺，而电路部分更是可以采用180纳米CMOS工艺就能生产这种芯片，用如此落后的工艺却能将芯片性能提升3000倍，与当前的7纳米工艺芯片性能相当，凸显出中国在芯片技术方面开辟新道路。

可以说中国芯片的努力已取得硕果，美国试图将中国的光刻机变为废铁根本不可能，光刻机之父林本坚就表示中国以现有的设备可以生产出5纳米工艺的芯片，林本坚的认可更是对中国芯片技术突破的重要证明，外媒因此认为美国想多了。

文章来源：OFweek 光通讯网